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BUK661R8-30C,118

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BUK661R8-30C,118

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Numero di parte BUK661R8-30C,118
Produttore Nexperia USA Inc.
Descrizione MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Scheda dati

BUK661R8-30C,118 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK661R8-30C,118

ProduttoreNexperia USA Inc.
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs168nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10918pF @ 25V
Vgs (massimo)±16V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)263W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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BUK661R8-30C,118 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUK661R8-30C,118 is from the original manufacturer or authorized agents?
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D# BUK661R8-30C,118

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: BUK661R8-30C,118)

RoHS: Compliant
0
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BUK661R8-30C,118

D# BUK661R8-30C,118

Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: BUK661R8-30C,118)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-BUK661R8-30C,118-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

1473
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BUK661R830C118

NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

1478
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BUK661R8-30C,118

NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK661R8-30C - 120A, 30V, 0.0033ohm, N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
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Nexperia

N-CHANNEL TRENCH

pbFree: Pb-Free
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