Name: BUK661R6-30C,118
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: BUK661R6-30C-118
Availability: InStock
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BUK661R6-30C,118

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Numero di parte	BUK661R6-30C,118
Produttore	Nexperia USA Inc.
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Scheda dati	BUK661R6-30C,118 Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche BUK661R6-30C,118

Produttore	Nexperia USA Inc.
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	229nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	14964pF @ 25V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	306W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica BUK661R6-30C,118

BUK661R6-30C,118 Packaging

BUK661R6-30C,118 FAQ

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D# 1727-5516-1-ND

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

BUK661R6-30C118

D# 2156-BUK661R6-30C118-ND

Rochester Electronics LLC

N-CHANNEL POWER MOSFET

3481

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Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

4003

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NXP Semiconductors

OEM/CM ONLY

9999

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NXP Semiconductors

Now Nexperia BUK661R6-30C - Power Field-Effect Transistor, 120A, 30V, 0.0033ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

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