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BUJD203A,127

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Numero di parte BUJD203A,127
Produttore WeEn Semiconductors
Descrizione TRANS NPN 425V 4A TO220AB
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 4.832 piece(s)
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Specifiche BUJD203A,127

ProduttoreWeEn Semiconductors
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)425V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 600mA, 3A
Corrente - Limite del collettore (max)100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce11 @ 2A, 5V
Potenza - Max80W
Frequenza - Transizione-
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / casoTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

BUJD203A,127 Packaging

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Packing
Insepction

BUJD203A,127 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BUJD203A,127 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BUJD203A,127. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BUJD203A,127 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BUJD203A,127 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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NXP Semiconductors

Trans GP BJT NPN 425V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube - Bulk (Alt: BUJD203A,127)

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0
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NXP Semiconductors

Trans GP BJT NPN 425V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube (Alt: BUJD203A,127)

RoHS: Compliant
0
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1499
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NXP Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

230
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Now WeEn - BUJD203A - Power Bipolar Transistor - TO-220AB

RoHS: Compliant
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