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BTS113ANKSA1

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Numero di parte BTS113ANKSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
Scheda dati

BTS113ANKSA1 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche BTS113ANKSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTEMPFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 25V
Vgs (massimo)±10V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreP-TO220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica BTS113ANKSA1

BTS113ANKSA1 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BTS113ANKSA1 FAQ

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BTS113ANKSA1

D# SP000011187

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 11.5A 3-Pin TO-220AB Tube (Alt: SP000011187)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BTS113ANKSA1

D# BTS113ANKSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB

0

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