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BSZ160N10NS3GATMA1

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Numero di parte BSZ160N10NS3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
Scheda dati

BSZ160N10NS3GATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSZ160N10NS3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C8A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1700pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs16 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSZ160N10NS3GATMA1

BSZ160N10NS3GATMA1 Packaging

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Packing
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BSZ160N10NS3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSZ160N10NS3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSZ160N10NS3GATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSZ160N10NS3GATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSZ160N10NS3GATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSZ160N10NS3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSZ160N10NS3GATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSZ160N10NS3GATMA1?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# V72:2272_06384627

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GXT

D# BSZ160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ160N10NS3GATMA1)

RoHS: Compliant
0

BSZ160N10NS3GATMA1

D# 47W3365

Infineon Technologies AG

Transistor MOSFET N-CH 100V 40A 8-Pin PG-TSDSON T/R - Bulk (Alt: 47W3365)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3 G

D# SP000482390

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000482390)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# C1S322000437461

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
16505
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel 100V 8A 3.5V @ 12uA 16mohms @ 20A,10V 2.1W PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS

25
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON

4092
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# 3132235RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 40A, PG-TDSON

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 100 V 16 mOhm 19 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

97750
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3 G

D# 726-BSZ160N10NS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
17008
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# XSKDRABV0065162

Infineon Technologies AG

10000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# 47W3365

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 100V, 40A, 8TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:40A, On Resistance Rds(on):0.014ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
3556
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 40A I(D), 100V, 0.016OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

200
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# 7545373P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 40 A, 100 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ160N10NS3GATMA1, RL

Min Qty: 2
Container: Reel
4982
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3 G

D# TMOSP9476

Infineon Technologies AG

N-CH 100V 40A 16mOhm S3O8

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

30016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# 51015036

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 8A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3 G

Infineon Technologies AG

RFQ

5595
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ160N10NS3GATMA1

D# 2212820

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 100V, 40A, 8TSDSON

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
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