Name: BSZ100N06LS3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N06LS3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (112 reviews)

BSZ100N06LS3 G

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Numero di parte	BSZ100N06LS3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Scheda dati	BSZ100N06LS3 G Scheda dati
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
A magazzino	269.538 piece(s)
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Specifiche BSZ100N06LS3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerVDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3500pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN

Scheda tecnica BSZ100N06LS3 G

BSZ100N06LS3 G Packaging

BSZ100N06LS3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSZ100N06LS3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSZ100N06LS3 G price and inventory displayed accurate?

The price and inventory of BSZ100N06LS3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
4. What forms of payment are accepted?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSZ100N06LS3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSZ100N06LS3 G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# V72:2272_06384814

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GXT

D# BSZ100N06LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ100N06LS3GATMA1)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel 60V 11A 2.2V @ 23uA 10mohms @ 20A,10V 2.1W PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# BSZ100N06LS3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 11A/20A 8TSDSON

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# 2212836

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 20A, 8TSDSON

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

4180

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 60 V 10 mOhm 34 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

40250

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# C513238

Infineon Technologies AG

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# 726-BSZ100N06LS3GATM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

790

BSZ100N06LS3 G

D# 726-BSZ100N06LS3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

10476

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# XSKDRABS0030557

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS

10000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# 47W3363

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CHANNEL, 60V, 20A, 8TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:20A, On Resistance Rds(on):0.008ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Bulk

4180

BSZ100N06LS3GATMA1.

D# 25AC6456

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:20A, On Resistance Rds(on):0.008ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.7V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 5000

Container: TAPE & REEL - FULL

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# 7528255P

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin TDSON Infineon BSZ100N06LS3GATMA1, RL

Min Qty: 5

Container: Reel

4235

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3 G

D# TMOSP9396

Infineon Technologies AG

N-CH 60V 20A 10mOhm S3O8

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5016

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ100N06LS3GATMA1

D# 2212836

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 20A, 8TSDSON

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Each

5011

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BSZ100N06LS3 G

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