Name: BSZ088N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ088N03MSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (192 reviews)

BSZ088N03MSGATMA1

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Numero di parte	BSZ088N03MSGATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
Scheda dati	BSZ088N03MSGATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSZ088N03MSGATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSZ088N03MSGATMA1

BSZ088N03MSGATMA1 Packaging

BSZ088N03MSGATMA1 FAQ

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We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSZ088N03MSGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSZ088N03MSGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSZ088N03MSGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the BSZ088N03MSGATMA1 price and inventory displayed accurate?

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6. What is the process for return or replacement of BSZ088N03MSGATMA1?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSZ088N03MSGATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSZ088N03MSGATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSZ088N03MSGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

D# V36:1790_06390945

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

D# BSZ088N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP - Bulk (Alt: BSZ088N03MSGATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

D# SP000311509

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP (Alt: SP000311509)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

D# BSZ088N03MSGATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

4328

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 30 V 8 mOhm 21 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5750

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MS G

D# 726-BSZ088N03MSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

RoHS: Compliant

9672

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

D# XSKDRABV0052176

Infineon Technologies AG

5000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

BSZ088N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

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40000

Numero di parte

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Descrizione

Azione

BSZ088N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5095

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