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BSZ067N06LS3 G

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BSZ067N06LS3 G

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Numero di parte BSZ067N06LS3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
Scheda dati

BSZ067N06LS3 G Scheda dati

pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche BSZ067N06LS3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Ta), 20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 35µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5100pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.7 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

Scheda tecnica BSZ067N06LS3 G

BSZ067N06LS3 G Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSZ067N06LS3 G FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSZ067N06LS3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSZ067N06LS3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSZ067N06LS3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSZ067N06LS3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSZ067N06LS3 G price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSZ067N06LS3 G fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSZ067N06LS3 G?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSZ067N06LS3 G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSZ067N06LS3 G only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# V72:2272_06384554

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

D# 47W3361

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON T/R - Bulk (Alt: 47W3361)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

D# SP000451080

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON T/R (Alt: SP000451080)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3 G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

D# C1S322000437452

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
10613
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3 G

Infineon Technologies AG

N-Channel 60V 20A(Tc) 2.2V @ 35uA 6.7mohms @ 20A,10V 69W(Tc) PG-TSDSON-8 MOSFET RoHS

2
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

D# BSZ067N06LS3GATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 60V 14A/20A 8TSDSON

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3G

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

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Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 60V, 20A, 8TSDSON

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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26578
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3G

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23000

BSZ067N06LS3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

46000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3 G

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Infineon Technologies AG

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3G

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

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BSZ067N06LS3 G

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MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

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MOSFET, N CHANNEL, 60V, 20A, 8TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:20A, On Resistance Rds(on):0.005ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3 G

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BSZ067N06LS3G

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BSZ067N06LS3GXT

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3G

Infineon Technologies AG

14 A, 60 V, 0.0121 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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BSZ067N06LS3 G

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N-CH 60V 20A 7mOhm S3O8

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BSZ067N06LS3 G

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BSZ067N06LS3G

Infineon Technologies AG

IN stock Immediate delivery

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BSZ067N06LS3 G

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Infineon Technologies AG

shipping today

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BSZ067N06LS3GATMA1

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Infineon Technologies AG

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BSZ067N06LS3 G

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSZ067N06LS3GATMA1

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Min Qty: 1
Container: Each
22967

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