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BSS84XHZGG2CR

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Numero di parte BSS84XHZGG2CR
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 210 piece(s)
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Specifiche BSS84XHZGG2CR

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C230mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds34 pF @ 30 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3Ohm @ 230mA, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN1010-3W
Pacchetto / caso3-XFDFN

BSS84XHZGG2CR Packaging

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Sealing
Packing
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BSS84XHZGG2CR FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of BSS84XHZGG2CR?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSS84XHZGG2CR we delivered, we will accept the replacement or return of the BSS84XHZGG2CR only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSS84XHZGG2CR.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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