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BSS816NW L6327

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Numero di parte BSS816NW L6327
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
Scheda dati

BSS816NW L6327 Scheda dati

pacchetto SC-70, SOT-323
ECAD
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Specifiche BSS816NW L6327

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-70, SOT-323
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id750mV @ 3.7µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 2.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds180pF @ 10V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs160 mOhm @ 1.4A, 2.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT323-3
Pacchetto / casoSC-70, SOT-323

Scheda tecnica BSS816NW L6327

BSS816NW L6327 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BSS816NW L6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSS816NW L6327 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSS816NW L6327?
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