Name: BSS308PEL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS308PEL6327HTSA1
Availability: InStock
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BSS308PEL6327HTSA1

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Numero di parte	BSS308PEL6327HTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
Scheda dati	BSS308PEL6327HTSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSS308PEL6327HTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica BSS308PEL6327HTSA1

BSS308PEL6327HTSA1 Packaging

BSS308PEL6327HTSA1 FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSS308PEL6327HTSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSS308PEL6327HTSA1

D# BSS308PEL6327HTSA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3

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BSS308PEL6327HTSA1

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