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BSS139 E6327

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Numero di parte BSS139 E6327
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSS139 E6327

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 56µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds76pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 Ohm @ 0.1mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT23-3
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS139 E6327 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSS139 E6327 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSS139 E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSS139 E6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSS139 E6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSS139 E6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSS139 E6327 price and inventory displayed accurate?
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

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Siemens

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Not Compliant
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D# BSS139E6327-ND

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MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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