| Numero di parte | BSS123LT3G |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 7.904 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | ON Semiconductor |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 225mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSS123LT3G |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSS123LT3G D# BSS123LT3G-ND |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
LBSS123LT3G |
VBsemi Electronics Co Ltd |
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18838 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSS123LT3G D# NS-BSS123LT3G |
ON Semiconductor |
OEM/CM ONLY |
7196 |
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