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BSS123E6327

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BSS123E6327

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Numero di parte BSS123E6327
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Scheda dati

BSS123E6327 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSS123E6327

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.8V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.67nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds69pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 Ohm @ 170mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT23-3
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica BSS123E6327

BSS123E6327 Packaging

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Packing
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BSS123E6327 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSS123E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSS123E6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSS123E6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSS123E6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSS123E6327 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSS123E6327?
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Not Compliant
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