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| Numero di parte | BSS119NH6433XTMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 6.944 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 190mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 13µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 190mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT23-3 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSS119NH6433XTMA1 D# BSS119NH6433XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BSS119NH6433XTMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSS119NH6433XTMA1 D# BSS119NH6433XTMA1-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSS119NH6433XTMA1 |
Infineon Technologies AG |
RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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86-755-83210559-827
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