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BSS119 E7796

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Numero di parte BSS119 E7796
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Scheda dati

BSS119 E7796 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BSS119 E7796

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C170mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds78pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)360mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 Ohm @ 170mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT23-3
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica BSS119 E7796

BSS119 E7796 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BSS119 E7796 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSS119 E7796. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSS119 E7796 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSS119 E7796 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSS119 E7796 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSS119 E7796?
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