Name: BSP89 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP89-E6327
Availability: InStock
Rating: 5 (172 reviews)

BSP89 E6327

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Numero di parte	BSP89 E6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
Scheda dati	BSP89 E6327 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	25.500 piece(s)
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Specifiche BSP89 E6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	350mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 350mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP89 E6327

BSP89 E6327 Packaging

BSP89 E6327 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSP89 E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSP89 E6327 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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0.36 A, 240 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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