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BSP373L6327HTSA1

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BSP373L6327HTSA1

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Numero di parte BSP373L6327HTSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Scheda dati

BSP373L6327HTSA1 Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP373L6327HTSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds550pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs300 mOhm @ 1.7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP373L6327HTSA1

BSP373L6327HTSA1 Packaging

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Packing
Insepction

BSP373L6327HTSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP373L6327HTSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSP373L6327HTSA1?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# BSP373L6327HTSA1

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 - Bulk (Alt: BSP373L6327HTSA1)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSP373L6327HTSA1

D# 2156-BSP373L6327HTSA1-ITTR-ND

 Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4

 4000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSP373L6327HTSA1

D# 1214285

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N, SOT-223

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 4600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Infineon Technologies AG

BSP373 - 1.7A, 100V, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
 4000

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