Name: BSP315PL6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP315PL6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (78 reviews)

BSP315PL6327HTSA1

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Numero di parte	BSP315PL6327HTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
Scheda dati	BSP315PL6327HTSA1 Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP315PL6327HTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.17A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 160µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 1.17A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP315PL6327HTSA1

BSP315PL6327HTSA1 Packaging

BSP315PL6327HTSA1 FAQ

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP315PL6327HTSA1

D# 2156-BSP315PL6327HTSA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4

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