| Numero di parte | BSP295E6327T |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| A magazzino | 4.752 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
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| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-261-4, TO-261AA |
| ECAD |
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| Serie | SIPMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 368pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 1.8A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSP295E6327T |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSP295E6327T D# BSP295XTINTR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSP295E6327T D# NS-BSP295E6327T |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
1824 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSP295E6327T |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
45635 |
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86-755-83210559-841
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