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BSP19AT1G

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Numero di parte BSP19AT1G
Produttore ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino 399.924 piece(s)
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Specifiche BSP19AT1G

ProduttoreON Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN
Corrente - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic500mV @ 4mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max)20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Potenza - Max800mW
Frequenza - Transizione70MHz
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-223

BSP19AT1G Packaging

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Packing
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BSP19AT1G FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSP19AT1G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSP19AT1G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSP19AT1G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSP19AT1G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSP19AT1G price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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ON Semiconductor

405
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ON Semiconductor

SS SOT223 HV XTR NPN 350V

10000
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ON Semiconductor

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA

RoHS: Compliant
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NSVBSP19AT1G

D# NSVBSP19AT1G-ND

ON Semiconductor

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D# 10N9392

ON Semiconductor

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V, DC Collector Current:100mA, Power Dissipation Pd:800mW, Transistor Mounting:Surface Mount, No. of Pins:4Pins, DC Current Gain hFE:40hFE RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Cut Tape
0
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D# NS-BSP19AT1G

ON Semiconductor

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2488
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