Name: BSP171PE6327T
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP171PE6327T
Availability: InStock
Rating: 5 (140 reviews)

BSP171PE6327T

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Numero di parte	BSP171PE6327T
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Scheda dati	BSP171PE6327T Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	2.560 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche BSP171PE6327T

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 460µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	460pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP171PE6327T

BSP171PE6327T Packaging

BSP171PE6327T FAQ

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

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BSP171PE6327T

Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

Numero di parte

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BSP171PE6327T

D# BSP171PE6327XTINTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

Numero di parte

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BSP171PE6327T

D# NS-BSP171PE6327T

Infineon Technologies AG

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