Name: BSP170PE6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP170PE6327
Availability: InStock
Rating: 5 (148 reviews)

BSP170PE6327

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Numero di parte	BSP170PE6327
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	4.288 piece(s)
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Specifiche BSP170PE6327

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 1.9A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

BSP170PE6327 Packaging

BSP170PE6327 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSP170PE6327 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSP170PE6327 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

BSP170PE6327T

Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223

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Infineon Technologies AG

RoHS: Not Compliant

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BSP170PE6327T

D# BSP170PE6327XTINTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

BSP170PE6327

D# BSP170PE6327INTR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4

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BSP170PE6327T

D# NS-BSP170PE6327T

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