Name: BSP135L6327HTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135L6327HTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (193 reviews)

BSP135L6327HTSA1

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Numero di parte	BSP135L6327HTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Scheda dati
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino	7.328 piece(s)
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Specifiche BSP135L6327HTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-261-4, TO-261AA
ECAD
Serie	SIPMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	146pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 Ohm @ 120mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT223-4
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA

BSP135L6327HTSA1 Packaging

BSP135L6327HTSA1 FAQ

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP135L6327HTSA1

D# BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 - Bulk (Alt: BSP135L6327HTSA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP135L6327HTSA1

D# 2156-BSP135L6327HTSA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4

763462

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP135L6327HTSA1

Rochester Electronics LLC

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

959634

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSP135L6327HTSA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 0.12A, 600V, 45ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant

763462

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