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BSP129L6327HTSA1

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Numero di parte BSP129L6327HTSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223
Scheda dati

BSP129L6327HTSA1 Scheda dati

pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
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Specifiche BSP129L6327HTSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C350mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds108pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs6 Ohm @ 350mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

Scheda tecnica BSP129L6327HTSA1

BSP129L6327HTSA1 Packaging

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Packing
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BSP129L6327HTSA1 FAQ

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  • 3. Are the BSP129L6327HTSA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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D# BSP129L6327HTSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 240V 350mA SOT-223 - Bulk (Alt: BSP129L6327HTSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-BSP129L6327HTSA1-ITTR-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

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Rochester Electronics LLC

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 0.35A, 240V, 6ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
173194

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