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BSP125 E6327

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Numero di parte BSP125 E6327
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Scheda dati
pacchetto TO-261-4, TO-261AA
ECAD
A magazzino 5.104 piece(s)
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Specifiche BSP125 E6327

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-261-4, TO-261AA
ECAD
SerieSIPMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 94µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds150pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs45 Ohm @ 120mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT223-4
Pacchetto / casoTO-261-4, TO-261AA

BSP125 E6327 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

BSP125 E6327 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSP125 E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSP125 E6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSP125 E6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSP125 E6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSP125 E6327 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSP125 E6327?
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