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BSL303SPEH6327XTSA1

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Numero di parte BSL303SPEH6327XTSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
Scheda dati

BSL303SPEH6327XTSA1 Scheda dati

pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche BSL303SPEH6327XTSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1401pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 6.3A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TSOP6-6
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica BSL303SPEH6327XTSA1

BSL303SPEH6327XTSA1 Packaging

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BSL303SPEH6327XTSA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSL303SPEH6327XTSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSL303SPEH6327XTSA1 price and inventory displayed accurate?
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D# BSL303SPEH6327XTSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 6.3A 6-pin TSOP T/R - Bulk (Alt: BSL303SPEH6327XTSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 2156-BSL303SPEH6327XTSA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP6-6

9785
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSL303SPEH6327XTSA1

Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 6.3A, 30V, 0.033ohm, P-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
9785

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