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BSC889N03LSGATMA1

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Numero di parte BSC889N03LSGATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
Scheda dati

BSC889N03LSGATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC889N03LSGATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C13A (Ta), 45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC889N03LSGATMA1

BSC889N03LSGATMA1 Packaging

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Sealing
Packing
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BSC889N03LSGATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC889N03LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC889N03LSGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC889N03LSGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC889N03LSGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC889N03LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC889N03LSGATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 45A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC889N03LSGATMA1)

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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 13A/45A TDSON

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Infineon Technologies AG

Power Field-Effect Transistor, 13A, 30V, 0.009ohm, N-Channel, MOSFET

RoHS: Compliant
30000
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Infineon Technologies AG

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