Name: BSC883N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC883N03MSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (109 reviews)

BSC883N03MSGATMA1

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Numero di parte	BSC883N03MSGATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
Scheda dati	BSC883N03MSGATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	5.312 piece(s)
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Specifiche BSC883N03MSGATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	34V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 98A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC883N03MSGATMA1

BSC883N03MSGATMA1 Packaging

BSC883N03MSGATMA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC883N03MSGATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC883N03MSGATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC883N03MSGATMA1

D# BSC883N03MSGATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 34V 19A/98A TDSON

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BSC883N03MSGATMA1

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