* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | BSC882N03LSGATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH TDSON-8 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | - |
| ECAD |
|
| A magazzino | 47.214 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | nov 7 - nov 12 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | - |
| ECAD |
|
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 34V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3700pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
|
CWR11HH106KB | KEMET, CAP TANT 10UF 10% 15V 2312, 2312 (6032 Metric), - | Visualizza |
|
1812Y0160101GCT | Knowles Syfer, CAP CER 100PF 16V C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), - | Visualizza |
|
600L4R3AW200T | American Technical Ceramics, CAP CER 4.3PF 200V NP0 0402, 0402 (1005 Metric), - | Visualizza |
|
CGS173U050R3C | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP ALUM 17000UF 50V SCREW, Radial, Can - Screw Terminals, - | Visualizza |
|
|
SI32260-C-GM2 | Silicon Labs, IC PROSLIC FXS DC-DC CTLR 47LGA, 60-WFQFN Exposed Pad, - | Visualizza |
|
ISL3177EIUZ | Intersil, IC TXRX RS422/485 20MBPS 8MSOP, 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width), - | Visualizza |
|
ADS5287IRGCT | Texas Instruments, IC ADC 10BIT 65MSPS OCTAL 64VQFN, 64-VFQFN Exposed Pad, - | Visualizza |
|
|
2210-S221-P1M3-H0-12A | E-T-A, CIR BRKR 12A 480VAC 65VDC, -, - | Visualizza |
|
CPR05R1500JE14 | Vishay Dale, RES 0.15 OHM 5W 5% RADIAL, Radial, - | Visualizza |
|
|
430503-16-0 | Curtis Industries, CONN BARRIER STRP 16CIRC 0.438", -, - | Visualizza |
|
|
463-10-252-00-001101 | Preci-Dip, HEADER SLOTTED WIRE WRAP 2.54MM, -, - | Visualizza |
|
|
3-87961-7 | TE Connectivity AMP Connectors, 76 MODII HORZ DR CE 100CL/115, -, - | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 D# V36:1790_06384706 |
Infineon Technologies AG |
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 D# BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 34V 100A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC882N03LSGATMA1) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2156-BSC882N03LSGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 34V TDSON-8-1 |
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2781055 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
LV POWER MOS RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5750 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LS G D# 726-BSC882N03LSG |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8 RoHS: Compliant
|
4998 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 D# 68AC4409 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:34V, On Resistance Rds(on):4.2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power Dissipation Pd:-, Transistor Case Style:-, No. of RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel Power MOSFET RoHS: Compliant
|
5000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5095 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 D# 53364235 |
Infineon Technologies AG |
OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC882N03LSGATMA1 D# 2781055 |
Infineon Technologies AG |
TRANSITIONAL MOSFETS RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
5000 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa BSC882N03LSGATMA1?
86-755-83210559 x831
Scansiona per visualizzare questa pagina
