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BSC882N03LSGATMA1

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Numero di parte BSC882N03LSGATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH TDSON-8
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche BSC882N03LSGATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)34V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3700pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

BSC882N03LSGATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSC882N03LSGATMA1 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that BSC882N03LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC882N03LSGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC882N03LSGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC882N03LSGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC882N03LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of BSC882N03LSGATMA1 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC882N03LSGATMA1?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC882N03LSGATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

D# V36:1790_06384706

Infineon Technologies AG

OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

D# BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 34V 100A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC882N03LSGATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

D# 2156-BSC882N03LSGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 34V TDSON-8-1

5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

D# 2781055

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

LV POWER MOS

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5750
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LS G

D# 726-BSC882N03LSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8

RoHS: Compliant
4998
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

D# 68AC4409

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:34V, On Resistance Rds(on):4.2mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power Dissipation Pd:-, Transistor Case Style:-, No. of RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant
5000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

5095
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

D# 53364235

Infineon Technologies AG

OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC882N03LSGATMA1

D# 2781055

Infineon Technologies AG

TRANSITIONAL MOSFETS

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
5000

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