Numero di parte | BSC205N10LS G |
---|---|
Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 |
Scheda dati | |
pacchetto | 8-PowerTDFN |
ECAD | |
A magazzino | 259.512 piece(s) |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LS G D# BSC205N10LS G |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin TDSON - Bulk (Alt: BSC205N10LS G) RoHS: Compliant
|
0 |
BSC205N10LSGATMA1 D# BSC205N10LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin TDSON EP T/R - Bulk (Alt: BSC205N10LSGATMA1) RoHS: Not Compliant
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LS G |
Infineon Technologies AG |
7.4 A, 100 V, 0.0205 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
4949 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LSG D# 2156-BSC205N10LSG-ND |
Rochester Electronics LLC |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
6751 |
BSC205N10LS G D# 2156-BSC205N10LS G-ITTR-ND |
Rochester Electronics LLC |
MOSFET N-CH 100V 7.4A/45A TDSON |
10000 |
BSC205N10LSGATMA1 D# 2156-BSC205N10LSGATMA1-ND |
Rochester Electronics LLC |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LSG |
Infineon Technologies AG |
In stock shipping within 2days |
117 |
BSC205N10LS G |
VBsemi Electronics Co Ltd |
In stock shipping within 2days |
3000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LSG |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
23000 |
BSC205N10LSGATMA1 |
Infineon Technologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
23000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LS G D# NS-BSC205N10LS G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
5039 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LSG |
Infineon Technologies AG |
7.4 A, 100 V, 0.0205 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
4899 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LS G |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A, 100V, 0.0205ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
|
10000 |
BSC205N10LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A, 100V, 0.0205ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
|
10000 |
BSC205N10LSG |
Infineon Technologies AG |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A, 100V, 0.0205ohm, N-Channel, MOSFET RoHS: Compliant
|
6751 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LSGATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
30016 |
BSC205N10LS G |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
25016 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LSG |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
45635 |
BSC205N10LS G |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
79996 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LSG |
Infineon Technologies AG |
RFQ |
12260 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC205N10LS G |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 |
25000 |
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