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BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1

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Numero di parte BSC190N15NS3GATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
Scheda dati

BSC190N15NS3GATMA1 Scheda dati
pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC190N15NS3GATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2420pF @ 75V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs19 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC190N15NS3GATMA1

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Sealing
Packing
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BSC190N15NS3GATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC190N15NS3GATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSC190N15NS3GATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC190N15NS3GATMA1?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_06382989

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 79X1336

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 79X1336)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# SP000416636

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP (Alt: SP000416636)

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# C1S322000192513

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 14130
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

 Infineon Technologies AG

N-Channel 150V 50A(Tc) 4V @ 90uA 19mohms @ 50A,10V 125W(Tc) PG-TDSON-8 MOSFET RoHS

 7361
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# BSC190N15NS3GATMA1CT-ND

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1

 19022
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# 2432711RL

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 150V, 50A, TDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

 Infineon Technologies AG

Single N-Channel 150 V 19 mOhm 23 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 23000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3 G

D# 726-BSC190N15NS3G

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 6846

BSC190N15NS3GATMA1

D# 726-BSC190N15NS3GATM

 Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
 13752
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# XSKDRABS0101147

 Infineon Technologies AG

TDSON-8//MOSFET N-CH 150V 50A

 15000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# 79X1336

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 150V, 50A, PG-TDSON- 8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:150V, Continuous Drain Current Id:50A, On Resistance Rds(on):0.016ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 7063
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

 Infineon Technologies AG

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 150V, 0.019OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET

 7
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# 7545317

 Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC190N15NS3GATMA1, PK

Min Qty: 2
Container: Package
 552
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3 G

D# TMOSP9607

 Infineon Technologies AG

N-CH 150V 50A 19.0mOhm TDSON-8

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

 Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

 20016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# 43717848

 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC190N15NS3GATMA1

D# 2432711

 Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 150V, 50A, TDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 29341

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