Name: BSC085N025S G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC085N025S-G
Availability: InStock
Rating: 5 (81 reviews)

BSC085N025S G

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Numero di parte	BSC085N025S G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 35A TDSON-8
Scheda dati	BSC085N025S G Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	3.920 piece(s)
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Specifiche BSC085N025S G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	14A (Ta), 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC085N025S G

BSC085N025S G Packaging

BSC085N025S G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSC085N025S G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSC085N025S G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC085N025S G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC085N025S G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# BSC085N025SG-ND

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VBsemi Electronics Co Ltd

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