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BSC0805LSATMA1

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Numero di parte BSC0805LSATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche BSC0805LSATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieOptiMOS™ 5
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C79A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2700 pF @ 50 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8-6
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

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Packing
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BSC0805LSATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC0805LSATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC0805LSATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC0805LSATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC0805LSATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC0805LSATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC0805LSATMA1?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC0805LSATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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