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BSC034N10LS5ATMA1

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Numero di parte BSC034N10LS5ATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche BSC034N10LS5ATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieOptiMOS™ 5
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 115µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 4.5 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 50 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8-7
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

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Sealing
Packing
Insepction

BSC034N10LS5ATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC034N10LS5ATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSC034N10LS5ATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC034N10LS5ATMA1?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC034N10LS5ATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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