Name: BSC034N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC034N03LSGATMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (71 reviews)

BSC034N03LSGATMA1

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	BSC034N03LSGATMA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Scheda dati	BSC034N03LSGATMA1 Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
A magazzino	49.956 piece(s)
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Specifiche BSC034N03LSGATMA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4300pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC034N03LSGATMA1

BSC034N03LSGATMA1 Packaging

BSC034N03LSGATMA1 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSC034N03LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSC034N03LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC034N03LSGATMA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC034N03LSGATMA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC034N03LSGATMA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# V72:2272_06384624

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGXT

D# BSC034N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSC034N03LSGATMA1)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# SP000475948

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP000475948)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# BSC034N03LSGATMA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON

5000

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# 2617420

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PG-TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

2664

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 30 V 3.4 mOhm 39 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5750

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# 726-BSC034N03LSGATMA

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

7755

BSC034N03LS G

D# 726-BSC034N03LSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant

4812

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# 97Y1248

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PG-TDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0028ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

2664

BSC034N03LSGATMA1.

D# 27AC1073

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0028ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 5000

Container: TAPE & REEL - FULL

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

907

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# 27607303

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC034N03LSGATMA1

D# 2617420

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, PG-TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

2664

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BSC034N03LSGATMA1

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