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BSC028N06NSTATMA1

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Numero di parte BSC028N06NSTATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 60V 24A/100A TDSON
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 35.973 piece(s)
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Specifiche BSC028N06NSTATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieOptiMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.3V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3375 pF @ 30 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8-7
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

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Customized Labels
Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC028N06NSTATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BSC028N06NSTATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Once your order has been processed for shipment, our salesperson will send you an email advising you of the shipping status and tracking number.
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC028N06NSTATMA1?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSC028N06NSTATMA1.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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