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BSC018N04LSGATMA1

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BSC018N04LSGATMA1

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Numero di parte BSC018N04LSGATMA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
Scheda dati

BSC018N04LSGATMA1 Scheda dati

pacchetto 8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC018N04LSGATMA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerTDFN
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12000pF @ 20V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TDSON-8
Pacchetto / caso8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BSC018N04LSGATMA1 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSC018N04LSGATMA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSC018N04LSGATMA1. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSC018N04LSGATMA1 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSC018N04LSGATMA1 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSC018N04LSGATMA1 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSC018N04LSGATMA1?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_06383456

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# BSC018N04LSGATMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP - Tape and Reel (Alt: BSC018N04LSGATMA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SP000388293

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP (Alt: SP000388293)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC018N04LSGATMA1

D# BSC018N04LSGATMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON

4527
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC018N04LSGATMA1

D# 1775426

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100A, 40V, PG-TDSON-8

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
2310
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC018N04LSGATMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 113 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8

RoHS: Contact Manufacturer
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC018N04LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2716
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BSC018N04LS G

D# 726-BSC018N04LSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

RoHS: Compliant
9637
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC018N04LSGATMA1

D# 60R2476

Infineon Technologies AG

MOSFET, N CH, 100A, 40V, PG-TDSON-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:40V, On Resistance Rds(on):0.0015ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:-, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
1160
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BSC018N04LSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

373
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D# 35171897

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

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