Name: BSC014N03MS G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC014N03MS-G
Availability: InStock
Rating: 5 (94 reviews)

BSC014N03MS G

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Numero di parte	BSC014N03MS G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Scheda dati	BSC014N03MS G Scheda dati
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
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Specifiche BSC014N03MS G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-PowerTDFN
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	173nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN

Scheda tecnica BSC014N03MS G

BSC014N03MS G Packaging

BSC014N03MS G FAQ

1. How to order BSC014N03MS G on Heisener?

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2. How does Heisener guarantee that BSC014N03MS G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSC014N03MS G price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSC014N03MS G we delivered, we will accept the replacement or return of the BSC014N03MS G only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

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BSC014N03MSGATMA1

D# BSC014N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

- Bulk (Alt: BSC014N03MSGATMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC014N03MSGATMA1

D# 2156-BSC014N03MSGATMA1-ND

Rochester Electronics LLC

PFET, 30A I(D), 30V, 0.00175OHM,

9161

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC014N03MSGATMA1

D# 2480734

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

3694

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Descrizione

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BSC014N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5405

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BSC014N03MS G

D# 726-BSC014N03MSG

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M

RoHS: Compliant

4571

Numero di parte

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Descrizione

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BSC014N03MSGATMA1

D# 50Y1796

Infineon Technologies AG

MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

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Descrizione

Azione

BSC014N03MSGATMA1

D# 9064435

Infineon Technologies AG

N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC014N03MSGATMA1, PK

Min Qty: 10

Container: Package

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC014N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

BSC014N03 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

9161

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC014N03MSGATMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSC014N03MSGATMA1

D# 2480734RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 100A, TDSON-8

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

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