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| Numero di parte | BSC009NE2LS5IATMA1 |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 40A 8TDSON IND |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| A magazzino | 52.188 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Essere confermato |
| Tempo di consegna stimato | feb 5 - feb 10 (Scegli una spedizione rapida) |
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| Servizi di consegna |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-PowerTDFN |
| ECAD |
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| Serie | OptiMOS? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Ta), 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 12V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
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M39003/03-3022/HSD | Vishay Sprague, CAP TANT 68UF 10% 10V AXIAL, Axial, OptiMOS? | Visualizza |
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1812J1K50561FCT | Knowles Syfer, CAP CER 560PF 1.5KV C0G/NP0 1812, 1812 (4532 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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0805J5000560JAT | Knowles Syfer, CAP CER 0805, -, OptiMOS? | Visualizza |
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08053A152KAT2A | AVX Corporation, CAP CER 1500PF 25V NP0 0805, 0805 (2012 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
 
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NTMFS4825NFET1G | ON Semiconductor, MOSFET N-CH 30V 171A SO-8FL, 8-PowerTDFN, 5 Leads, OptiMOS? | Visualizza |
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BD3533FVM-TR | Rohm Semiconductor, IC REG TERM DDR-SDRAM 1A 8MSOP, 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width), OptiMOS? | Visualizza |
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P51-300-S-Y-D-5V-000-000 | SSI Technologies Inc, SENSOR 300PSIS 7/16 5V, Cylinder, OptiMOS? | Visualizza |
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RG1608N-2491-C-T5 | Susumu, RES SMD 2.49K OHM 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), OptiMOS? | Visualizza |
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1729060000 | Weidmuller, TERM BLOCK HDR 28POS VERT 3.5MM, -, OptiMOS? | Visualizza |
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CTVP00RW-21-11PA | Amphenol Aerospace Operations, CONN RCPT MALE 11POS GOLD CRIMP, -, OptiMOS? | Visualizza |
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MS3475L14-18A | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN PLUG HSNG MALE 18POS INLINE, -, OptiMOS? | Visualizza |
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333-086-527-203 | EDAC Inc., CONN EDGE DUAL FMALE 86POS 0.156, -, OptiMOS? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# E02:0323_08482730 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# BSC009NE2LS5IATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC009NE2LS5IATMA1) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# SP001212434 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin TDSON T/R (Alt: SP001212434) RoHS: Compliant
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# BSC009NE2LS5IATMA1TR-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# 2725800RL |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 |
Infineon Technologies AG |
Single N-Channel 25 V 0.9 mOhm 36 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TDSON-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
20901 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# 726-BSC009NE2LS5IATM |
Infineon Technologies AG |
MOSFET LV POWER MOS RoHS: Compliant
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683 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# 13AC8323 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:25V, On Resistance Rds(on):800µohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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8991 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# 1336577 |
Infineon Technologies AG |
N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO Infineon BSC009NE2LS5IATMA1, RL Min Qty: 5000
Container: Reel
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11275 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
3528 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# 52756866 |
Infineon Technologies AG |
Trans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin TDSON EP T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BSC009NE2LS5IATMA1 D# 2725800 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, TDSON RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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13291 |
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