Name: BSB165N15NZ3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB165N15NZ3-G
Availability: InStock
Rating: 5 (127 reviews)

BSB165N15NZ3 G

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Numero di parte	BSB165N15NZ3 G
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Scheda dati	BSB165N15NZ3 G Scheda dati
pacchetto	3-WDSON
ECAD
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Specifiche BSB165N15NZ3 G

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	3-WDSON
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 45A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 110µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 75V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16.5 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacchetto / caso	3-WDSON

Scheda tecnica BSB165N15NZ3 G

BSB165N15NZ3 G Packaging

BSB165N15NZ3 G FAQ

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2. How does Heisener guarantee that BSB165N15NZ3 G is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the BSB165N15NZ3 G price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# V36:1790_06377741

Infineon Technologies AG

BSB165N15NZ3GXUMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 150V 9A Automotive 7-Pin WDSON T/R - Arrow.com

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# BSB165N15NZ3GXUMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 9A CanPAK T/R - Bulk (Alt: BSB165N15NZ3GXUMA1)

BSB165N15NZ3GXT

D# BSB165N15NZ3GXUMA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 9A 7-Pin WDSON - Tape and Reel (Alt: BSB165N15NZ3GXUMA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# SP000617000

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 150V 9A CanPAK T/R (Alt: SP000617000)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# BSB165N15NZ3GXUMA1CT-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 150V 9A/45A 2WDSON

2824

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# 2480771

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 150V, 45A, WDSON-2

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

Infineon Technologies AG

Single N-Channel 150 V 16.5 mOhm 26 nC OptiMOS™ Power Mosfet - MG-WDSON-2

RoHS: Contact Manufacturer

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# 726-BSB165N15NZ3GXUM

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3

RoHS: Compliant

4716

BSB165N15NZ3 G

D# 726-BSB165N15NZ3G

Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3

RoHS: Compliant

918

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# 50Y1790

Infineon Technologies AG

MOSFET Transistor, N Channel, 45 A, 150 V, 0.0131 ohm, 10 V, 3 V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

Infineon Technologies AG

BSB165N15 - 12V-300V N-Channel Power MOSFET

RoHS: Compliant

32314

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

29143

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB165N15NZ3GXUMA1

D# 2480771RL

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 150V, 45A, WDSON-2

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Reel

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BSB165N15NZ3 G

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