Name: BSB104N08NP3GXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSB104N08NP3GXUSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

BSB104N08NP3GXUSA1

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Numero di parte	BSB104N08NP3GXUSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
Scheda dati	BSB104N08NP3GXUSA1 Scheda dati
pacchetto	3-WDSON
ECAD
A magazzino	6.400 piece(s)
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Specifiche BSB104N08NP3GXUSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	3-WDSON
ECAD
Serie	OptiMOS?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Ta), 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 40V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	MG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacchetto / caso	3-WDSON

Scheda tecnica BSB104N08NP3GXUSA1

BSB104N08NP3GXUSA1 Packaging

BSB104N08NP3GXUSA1 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the BSB104N08NP3GXUSA1 we delivered, we will accept the replacement or return of the BSB104N08NP3GXUSA1 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BSB104N08NP3GXUSA1.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB104N08NP3GXUSA1

D# V36:1790_06384337

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80V 13A Automotive 7-Pin WDSON T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB104N08NP3GXUSA1

D# BSB104N08NP3GXUSA1

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80(Min)V 50A 7-Pin WDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSB104N08NP3GXUSA1)

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB104N08NP3GXUSA1

D# SP001164330

Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 80(Min)V 50A 7-Pin WDSON T/R (Alt: SP001164330)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB104N08NP3GXUSA1

D# BSB104N08NP3GXUSA1-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 80V 13A/50A 2WDSON

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB104N08NP3GXUSA1

Infineon Technologies AG

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BSB104N08NP3GXUSA1

D# 726-B104N08NP3GXUSA1

Infineon Technologies AG

MOSFET TRENCH 40<-<100V

RoHS: Compliant

4600

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