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BSB017N03LX3 G

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BSB017N03LX3 G

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Numero di parte BSB017N03LX3 G
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
Scheda dati

BSB017N03LX3 G Scheda dati

pacchetto 3-WDSON
ECAD
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Specifiche BSB017N03LX3 G

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto3-WDSON
ECAD
SerieOptiMOS?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C32A (Ta), 147A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs102nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7800pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreMG-WDSON-2, CanPAK M?
Pacchetto / caso3-WDSON

Scheda tecnica BSB017N03LX3 G

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Packing
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BSB017N03LX3 G FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BSB017N03LX3 G is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BSB017N03LX3 G. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BSB017N03LX3 G on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BSB017N03LX3 G products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BSB017N03LX3 G price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BSB017N03LX3 G?
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    (1)Inform us within 90 days
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