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BGB 540 E6327

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Numero di parte BGB 540 E6327
Produttore Infineon Technologies
Descrizione TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
Scheda dati

BGB 540 E6327 Scheda dati

pacchetto SC-82A, SOT-343
ECAD
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Specifiche BGB 540 E6327

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - RF
pacchettoSC-82A, SOT-343
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)3.5V
Frequenza - Transizione-
Figura del rumore (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno16dB ~ 17.5dB
Potenza - Max120mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce-
Corrente - Collector (Ic) (Max)30mA
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT343-4

Scheda tecnica BGB 540 E6327

BGB 540 E6327 Packaging

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Packing
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BGB 540 E6327 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BGB 540 E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BGB 540 E6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BGB 540 E6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BGB 540 E6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BGB 540 E6327 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BGB 540 E6327?
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    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343

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