Name: BG3130RH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BG3130RH6327XTSA1
Availability: InStock
Rating: 5 (150 reviews)

BG3130RH6327XTSA1

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Numero di parte	BG3130RH6327XTSA1
Produttore	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Scheda dati
pacchetto	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
A magazzino	5.984 piece(s)
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Specifiche BG3130RH6327XTSA1

Produttore	Infineon Technologies
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie	-
Transistor Type	2 N-Channel (Dual)
Frequenza	800MHz
Guadagno	24dB
Voltaggio - Test	5V
Valutazione attuale	25mA
Figura di rumore	1.3dB
Corrente - Test	14mA
Potenza - Uscita	-
Tensione - Rated	8V
Pacchetto / caso	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT363-6

BG3130RH6327XTSA1 Packaging

BG3130RH6327XTSA1 FAQ

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Descrizione

Azione

BG3130RH6327XTSA1

D# BG3130RH6327XTSA1

Infineon Technologies AG

Transistor RF FET Dual N-CH 8V 25mA 800MHz 6-Pin SOT-363 T/R - Bulk (Alt: BG3130RH6327XTSA1)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BG3130RH6327XTSA1

D# 2156-BG3130RH6327XTSA1-ND

Rochester Electronics LLC

BG3130 - DUAL RF N-CHANNEL MOSFE

607750

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

BG3130RH6327XTSA1

Infineon Technologies AG

BG3130 - DUAL RF N-Channel MOSFET Tetrode

RoHS: Compliant

607750

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