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Numero di parte | BG3130H6327XTSA1 |
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Produttore | Infineon Technologies |
Descrizione | MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
Scheda dati | |
pacchetto | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
ECAD | |
A magazzino | 3.136 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BG3130H6327XTSA1 D# BG3130H6327XTSA1 |
Infineon Technologies AG |
Transistor RF FET Dual N-CH 8V 25mA 800MHz 6-Pin SOT-363 T/R - Bulk (Alt: BG3130H6327XTSA1) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BG3130H6327XTSA1 D# 2156-BG3130H6327XTSA1-ITTR-ND |
Rochester Electronics LLC |
DUAL N-CHANNEL MOSFET TETRODE |
537000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BG3130H6327XTSA1 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
57500 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BG 3130 H6327 D# 726-BG3130H6327 |
Infineon Technologies AG |
RF MOSFET Transistors RF MOSFETS RoHS: Compliant
|
2800 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BG3130H6327XTSA1 |
Infineon Technologies AG |
BG3130 - DUAL RF N-Channel MOSFET Tetrode RoHS: Compliant
|
537000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
BG3130H6327XTSA1 |
Infineon Technologies AG |
shipping today |
299696 |
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86-755-83210559-843
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