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BG3123H6327XTSA1

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Numero di parte BG3123H6327XTSA1
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
Scheda dati

BG3123H6327XTSA1 Scheda dati

pacchetto 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche BG3123H6327XTSA1

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - RF
pacchetto6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie-
Transistor Type2 N-Channel (Dual)
Frequenza800MHz
Guadagno25dB
Voltaggio - Test5V
Valutazione attuale25mA, 20mA
Figura di rumore1.8dB
Corrente - Test14mA
Potenza - Uscita-
Tensione - Rated8V
Pacchetto / caso6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT363-6

Scheda tecnica BG3123H6327XTSA1

BG3123H6327XTSA1 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BG3123H6327XTSA1 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the BG3123H6327XTSA1 price and inventory displayed accurate?
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D# BG3123H6327XTSA1TR-ND

Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363

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