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BFR 193 E6327

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BFR 193 E6327

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte BFR 193 E6327
Produttore Infineon Technologies
Descrizione TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-23
Scheda dati

BFR 193 E6327 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BFR 193 E6327

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - Bipolari (BJT) - RF
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Transistor TypeNPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f)1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno10dB ~ 15dB
Potenza - Max580mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max)80mA
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT23-3

Scheda tecnica BFR 193 E6327

BFR 193 E6327 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

BFR 193 E6327 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BFR 193 E6327 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BFR 193 E6327. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BFR 193 E6327 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BFR 193 E6327 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BFR 193 E6327 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of BFR 193 E6327?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# V72:2272_06391196

Infineon Technologies AG

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies AG

Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BFR193E6327HTSA1)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# C1S322000042768

Infineon Technologies AG

Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 25
Container: Cut Tape
10048
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# BFR193E6327HTSA1CT-ND

Infineon Technologies AG

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

2799
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# 2432737

Infineon Technologies AG

TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-23-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
25144
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies AG

BFR193 Series 12 V 80 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-23-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

24150
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# 726-BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies AG

RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

RoHS: Compliant
14998

BFR 193 E6327

D# 726-BFR193E6327

Infineon Technologies AG

RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

RoHS: Compliant
16668
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# XSKDRABS0062198

Infineon Technologies AG

RF BIP TRANSISTORS

3000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1.

D# 25AC6335

Infineon Technologies AG

Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V, Transition Frequency ft:8GHz, Power Dissipation Pd:580mW, DC Collector Current:80mA, RF Transistor Case:SOT-23, No. of Pins:3Pins, DC Current Gain hFE:70hFE RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 15000
Container: TAPE & REEL - FULL
0

BFR193E6327HTSA1

D# 79Y4025

Infineon Technologies AG

RF TRANS, NPN, 12V, 0.08A/150DEG C/0.58W, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V, Transition Frequency ft:8GHz, Power Dissipation Pd:580mW, DC Collector Current:80mA, RF Transistor Case:SOT-23 RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
25144
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# 8235538

Infineon Technologies AG

Infineon BFR193E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 80 mA, 12 V, 3-Pin SOT-23, PK

Min Qty: 25
Container: Package
500
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

Infineon Technologies AG

OEM/CM ONLY

6016
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# 53319782

Infineon Technologies AG

Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

BFR193E6327HTSA1

D# 2432737

Infineon Technologies AG

TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-23-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
25144

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