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BAS116HYFHT116

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Numero di parte BAS116HYFHT116
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche BAS116HYFHT116

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - Raddrizzatori - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo diodoStandard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)80 V
Corrente - Rettificato medio (Io)215mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
VelocitàStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)3 µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr5 nA @ 75 V
Capacità @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Temperatura operativa - Giunzione150°C

BAS116HYFHT116 Packaging

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Sealing
Packing
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BAS116HYFHT116 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that BAS116HYFHT116 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the BAS116HYFHT116. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including BAS116HYFHT116 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of BAS116HYFHT116 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the BAS116HYFHT116 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of BAS116HYFHT116.
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    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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