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BA779-2-HG3-08

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Numero di parte BA779-2-HG3-08
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione DIODE RF PIN 30V 50MA SOT23
Scheda dati

BA779-2-HG3-08 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche BA779-2-HG3-08

ProduttoreVishay Semiconductor Diodes Division
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Diodi - RF
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie-
Tipo diodoPIN - 1 Pair Series Connection
Voltage - Peak Reverse (Max)30V
Corrente - max50mA
Capacità @ Vr, F0.5pF @ 0V, 100MHz
Resistenza @ Se, F50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz
Dissipazione di potenza (max)-
temperatura di esercizio125°C (TJ)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

Scheda tecnica BA779-2-HG3-08

BA779-2-HG3-08 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that BA779-2-HG3-08 is from the original manufacturer or authorized agents?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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